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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
6.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
35
En -46% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
24
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
6.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
1845
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88A1BY-3C 512MB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
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