RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
68
En 49% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
68
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
1924
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link