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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
35
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3627
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
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Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
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