RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
36
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
36
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
2358
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link