RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
35
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
31
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
2865
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link