RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
35
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
34
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3040
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link