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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
35
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
25
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3673
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
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