RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
26
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3648
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link