RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
35
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
31
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3091
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link