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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
103
En 66% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
103
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
1520
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
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