RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
35
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
23
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
2545
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link