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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
107
En 67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
4.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
107
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
8.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
4.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
1022
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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