RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
38
En 8% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
38
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3264
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link