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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
46
En 24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
46
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
2368
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
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Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
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SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
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