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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
35
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
34
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3341
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
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