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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB

Puntuación global
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Puntuación global
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Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB

Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.4 left arrow 14.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.5 left arrow 7.3
    Valor medio en las pruebas
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB Razones a tener en cuenta
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    24 left arrow 35
    En -46% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 10600
    En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    35 left arrow 24
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.4 left arrow 14.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.5 left arrow 7.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2321 left arrow 2124

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM

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Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Kingston 9905712-008.A00G 16GB
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Memoria RAM
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Memoria RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Memoria RAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Memoria RAM
Mushkin 991586 2GB
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Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
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Memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
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Memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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