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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Puntuación global
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
39
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1770
3637
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
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