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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Compara
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
39
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.9
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
15.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1770
3713
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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