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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Compara
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
39
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1770
3193
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
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Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
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