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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB

Puntuación global
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Puntuación global
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Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB

Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.8 left arrow 10.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.4 left arrow 5.1
    Valor medio en las pruebas
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB Razones a tener en cuenta
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    29 left arrow 39
    En -34% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 10600
    En 1.81 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    39 left arrow 29
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.8 left arrow 10.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.4 left arrow 5.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1770 left arrow 1735

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM

Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB

Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
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Memoria RAM
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Memoria RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
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Memoria RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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Memoria RAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
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Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
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