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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
76
En 49% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
76
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
1587
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-035.A00LF 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
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