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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
39
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
3908
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
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