RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
39
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
3687
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link