RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
39
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
23
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
2809
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS32G52D5 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link