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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
39
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
38
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
2471
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
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