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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
39
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
2333
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
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