RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
39
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
30
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
2866
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link