RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
39
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.7
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.5
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
17.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
3917
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link