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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
39
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
32
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
3098
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
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