RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
39
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
30
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
2951
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link