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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.7
9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.2
7.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
39
En -3% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
38
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
9.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
7.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
1546
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
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