RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
39
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
33
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
3181
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston 99U5474-036.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
INTENSO 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link