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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
39
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
3000
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
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Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
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