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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
39
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
26
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
2594
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
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