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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Super Talent F3200UA8G 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Super Talent F3200UA8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
58
En 33% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Super Talent F3200UA8G 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
58
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
2250
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U7AFR8C
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
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