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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
56
En -143% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
2408
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A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
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