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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
56
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
44
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
3145
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
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