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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
56
En -143% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
2951
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
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