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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
56
139
En 60% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.9
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
139
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
1152
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
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