RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
56
En -124% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
3632
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905403-199.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link