RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
56
En -87% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
3047
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link