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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
56
En -143% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
3011
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
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Kingston X3XCFP-HYA 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
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