RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
56
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
46
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
2469
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link