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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
56
64
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.6
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
64
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
1808
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
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