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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
56
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
2665
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
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