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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
56
En -107% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.2
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
3737
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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