RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
56
En -155% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
3411
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link