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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
56
En -155% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
3411
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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