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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Compara
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Puntuación global
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
52
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
14900
En 1.43 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
31
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
21300
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2173
2307
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A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
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Kingston 9905700-097.A00G 8GB
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Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
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