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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Puntuación global
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Puntuación global
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Razones a tener en cuenta
AMD R9S48G3206U2S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
52
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14900
En 1.29 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
37
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
19200
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2173
3518
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-467.A00LF 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
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