Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Puntuación global
star star star star star
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    26 left arrow 52
    En -100% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.9 left arrow 9.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    14.5 left arrow 7.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 14900
    En 1.43 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    52 left arrow 26
  • Velocidad de lectura, GB/s
    9.7 left arrow 16.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.2 left arrow 14.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    14900 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2173 left arrow 3204
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones